[14p-P10-1~25] 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」（ポスター）

[14p-P10-8] Ga アセチルアセトナートを原料に用いた β−Ga₂O₃ の減圧 MOCVD 成長

〇安田 隆¹、富樫 隆¹、中込 真二¹、國分 義弘¹ (1.石専大理工)

キーワード：酸化ガリウム、有機金属化学気相法、薄膜

Gaアセチルアセトナート を原料に用いた減圧MOCVD法によるβ−Ga₂O₃ の薄膜成長について発表する。