[14p-P10-1~25] Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"（Poster）

△ [14p-P10-9] Influence of NiO buffer layer on solid phase epitaxy of β-Ga₂O₃ thin films by laser annealing at room temperature

〇Kisho Nakamura¹, Hiroki Uchida¹, Nobuo Tuchimine², Kouji Koyama³, Satoru Kaneko^4,1, Akifumi Matsuda¹, Mamoru Yoshimoto¹ (1.Tokyo Inst. of Tech., 2.TOSHIMA Manu., 3.Namiki Precision Jewel, 4.Kanagawa Ind. Tech. Center)

Keywords:Gallium oxide, epitaxial thin film, Laser annealing

β-Ga₂O₃エピタキシャル薄膜は紫外域のオプトエレクトロニクスをはじめパワーデバイスなどへの広い応用が期待されている。我々はこれまでに、NiOバッファ層の導入とレーザーアニーリングによる非晶質薄膜の固相結晶化などのアプローチで、表面平坦なβ-Ga₂O₃エピタキシャル薄膜の得られる室温プロセスを見出している。本研究では、バッファ層の構造がβ-Ga₂O₃エピタキシャル薄膜の結晶性、光学的特性などに与える影響について検討した。