[14p-P10-1~25] 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」（ポスター）

△ [14p-P10-9] 室温レーザーアニールによるβ-Ga₂O₃薄膜の固相エピタキシーに与えるNiOバッファ層の影響

〇中村 稀星¹、内田 啓貴¹、土嶺 信夫²、小山 浩司³、金子 智^4,1、松田 晃史¹、吉本 護¹ (1.東工大、2.(株)豊島製作所、3.(株)並木精密宝石、4.神奈川県産技セ)

キーワード：酸化ガリウム、エピタキシャル薄膜、レーザーアニール

β-Ga₂O₃エピタキシャル薄膜は紫外域のオプトエレクトロニクスをはじめパワーデバイスなどへの広い応用が期待されている。我々はこれまでに、NiOバッファ層の導入とレーザーアニーリングによる非晶質薄膜の固相結晶化などのアプローチで、表面平坦なβ-Ga₂O₃エピタキシャル薄膜の得られる室温プロセスを見出している。本研究では、バッファ層の構造がβ-Ga₂O₃エピタキシャル薄膜の結晶性、光学的特性などに与える影響について検討した。