[14p-P21-1~27] 13.10 Compound solar cells

[14p-P21-8] Investigation of preparation condition of (Cu,Ag)₂SnS₃ thin films by sulfurization

Mitsuki Nakashima¹, Koichi Hatayama¹, 〇Toshiyuki Yamaguchi¹, Hideaki Araki², Shigeyuki Nakamura³, Satoru Seto⁴, Yoji Akaki⁵ (1.NIT, Wakayama Coll., 2.NIT, Nagaoka Coll., 3.NIT, Tsuyama Coll., 4.NIT, Ishikawa Coll., 5.NIT, Miyakonojo Coll.)

Keywords:CATS thin film solar cell

CTSのバンドギャップは0.93eVであることから、バンドギャップが1.26eVのAg₂SnS₃ と混晶化させることで、バンドギャップが増加し、太陽電池特性向上の可能性がある。今回、(Cu,Ag)₂SnS₃薄膜の硫化法による作製条件及び太陽電池への応用の可能性について検討した。