[14p-P21-1~27] 13.10 化合物太陽電池

[14p-P21-8] 硫化法による(Cu,Ag)₂SnS₃薄膜作製条件の検討

中嶋 崇喜¹、畑山 耕一¹、〇山口 利幸¹、荒木 秀明²、中村 重之³、瀬戸 悟⁴、赤木 洋二⁵ (1.和歌山高専、2.長岡高専、3.津山高専、4.石川高専、5.都城高専)

キーワード：CATS薄膜太陽電池

CTSのバンドギャップは0.93eVであることから、バンドギャップが1.26eVのAg₂SnS₃ と混晶化させることで、バンドギャップが増加し、太陽電池特性向上の可能性がある。今回、(Cu,Ag)₂SnS₃薄膜の硫化法による作製条件及び太陽電池への応用の可能性について検討した。