[14p-P5-1~13] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

[14p-P5-1] CMOS-MEMS慣性センサにおける機械的ノイズの解析手法

〇小西 敏文¹、山根 大輔^2,4、伊藤 浩之^2,4、道正 志郎^2,4、石原 昇^2,4、年吉 洋^3,4、益 一哉^2,4、町田 克之^1,4 (1.NTT-AT、2.東工大、3.東大、4.JST-CREST)

キーワード：CMOS-MEMS、機械的ノイズ、マルチフィジクスシミュレーション

我々は、小型かつ低ノイズな静電容量型CMOS-MEMS慣性センサについて研究開発を行っている。センサのさらなる高感度化のためには、ノイズ源をモデル化し、各ノイズ値を定量的に把握する必要がある。本研究では、MEMS慣性センサの機械的ノイズを等価回路モデルとして表記することを提案した。今回は、マルチフィジクスシミュレーションを用いてノイズの過渡解析および周波数解析を実施したので報告する。