[14p-P5-1~13] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

[14p-P5-11] 第一原理計算を用いたSi中のドーパント近傍の金属原子の拡散経路とエネルギー障壁に関する研究

〇(M2)山田 惇弘¹、末岡 浩治¹ (1.岡山県大情報工)

キーワード：半導体、ゲッタリング、第一原理計算

本研究では，LSIで用いられる5種類の金属について，ゲッタリングサイトとの結合エネルギーと拡散障壁を第一原理計算により評価することで，ゲッタリングのメカニズムの解明を目的とした．主要な結果は以下の通りである．
(1) 64原子モデル中に4つの拡散経路が存在し，それぞれの拡散障壁は互いに異なっている．
(2)ドーパントの周囲には複数のトラップサイトが存在する場合がある．たとえばFeは必ずしもBの第一近接ではなく，それ以外のサイトにもある程度の存在確率を持つ