[14p-P5-1~13] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

[14p-P5-12] 微傾斜Si(211)基板上へのBiドーピング層成長2

〇三木 一司^1,2、村田 晃一^1,2、金澤 孝^1,2、田中 博也³、日塔 光一^1,2、大野 真也³、田中 正俊³ (1.物材機構、2.筑波大数物、3.横国大院)

キーワード：シリコン、ドーピング、ビスマス

本研究では、表面構造を利用して微傾斜シリコン基板にBiのδドーピングした結果を報告する。分子線エピタキシー法を用いて、この微傾斜表面上にBiを堆積してから、シリコン結晶層をエピタキシャル成長すると、基板温度に依存して構造的に10¹⁸–10²⁰ cm^-3 のビスマスドーピング層を形成できる。高品質なエピタキシャル層を得るためには、低指数面に比べて高い基板温度が必要となる。基板温度400℃で成長した試料は、キャリア密度 n = 4.0 × 10¹⁹ cm^-3を示し電気的に活性化していることを確認した。このドーピング量、キャリア密度は、今まで試行したBiのδドーピングとしては最高の値である。