[14p-P5-1~13] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

[14p-P5-9] SiO₂膜のAl触媒化学蒸気エッチングとその特性評価

〇米谷 玲皇¹、村上 剛浩¹、前田 悦男¹ (1.東大院工)

キーワード：金属触媒エッチング、アルミニウム、シリコン酸化膜

本研究では、Alを金属触媒として用いたSiO₂膜の化学蒸気エッチングのエッチングメカニズムを明らかにすることを目的として、エッチング特性，及びエッチング過程における化学結合表面状態の変化を評価した。結果として、通常の化学蒸気エッチングと比較しおよそ14倍の速度でエッチングが進行することがわかった。また、このエッチングの促進に対しAl近傍におけるHF濃度の局所的増加が寄与している可能性があることを見出した。