[14p-P6-1~11] 13.5 デバイス／集積化技術

△ [14p-P6-2] マルチゲートSi単電子トランジスタの特性評価

〇内田 貴史¹、福地 厚¹、有田 正志¹、藤原 聡²、高橋 庸夫¹ (1.北大院情報、2.NTT物性基礎研)

キーワード：単電子、シリコン、量子ドット

単電子トランジスタ(single-electron transistor: SET)は、低消費電力かつ高集積化が可能なデバイスとして期待されている。これまで、我々は、パターン依存酸化法を用いて作製したSi-SETにおいて、トップゲートとバックゲートを用い、上下からの電界によって実効的なクーロン島のサイズが変化し、ゲート容量などが変化することを明らかにしてきた。今回の研究では、クーロン島の両端にゲート電極を取り付け、左右からの電界がクーロン島の特性に及ぼす影響について評価した。