[14p-P6-1~11] 13.5 デバイス／集積化技術

[14p-P6-5] DNA/Si-MOSFET，寄生容量制御による零消費電力インバータの可能性

〇松尾 直人¹、中野 響¹、部家 彰¹、高田 忠雄¹、山名 一成¹、佐藤 但²、横山 新² (1.兵庫県立大院工、2.広島大ナノデバイス研)

キーワード：ディーエヌエー、シリコンMOSトランジスタ、インバータ

Si-MOSFETのチャネル領域をDNA（deoxyribonucleic acid）で置き換えたトランジスタを検討している。本研究の目的はambipolar型DNA/Si-MOSFET（W/L=100μm/120nm）とn型Si-MOSFET（W/L=10μm/580μm）から構成されるインバータ回路を作製し，その入出力特性を調べる事である。
今回の結果より，DNAにより零消費電力論理回路の実現を期待できる。