[14p-P9-1~18] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[14p-P9-12] In situ XRR及びHAXPESによる4H-SiCの熱酸化過程の観察

〇安野 聡¹、小金澤 智之¹、村岡 幸輔²、黒木 伸一郎² (1.高輝度光科学研究セ、2.広島大学ナノデバイス)

キーワード：SiC、in situ XRR、硬X線光電子分光法

SiC基板上における絶縁膜形成のベースとなる熱酸化過程を詳細に調べるため、熱処理中の酸化膜厚や密度の測定が可能なin situ X線反射率法(XRR)と絶縁膜界面の非破壊状態分析が可能な硬X線光電子分光法（HAXPES）による評価を実施した。In situ XRRからは800℃近傍から急激に酸化膜の成長が進行することが分かった。HAXPESからは熱処理前後においてサブオキサイドが存在することが確認された。