[14p-P9-1~18] 15.6 Group IV Compound Semiconductors (SiC)

[14p-P9-18] Destructive Degradation Analysis for TO-247 Package SiC-MOSFETs Subjected to Thermal Cycle Test

〇Sawa Araki¹, Tatsuhiro Suzuki¹, Mari Yamashita¹, Toshiaki Ohno², Hisashi Yakumaru³, Hiroki Sawada⁴, Satoshi Tanimoto¹ (1.NISSAN ARC, LTD., 2.Nordson Advanced Technology Japan K.K., 3.Hitachi Power Solutions Co., Ltd., 4.IWATSU TEST INSTRUMENTS Co., Ltd.)

Keywords:SiC-MOSFET, TO-247, Degradation Analysis

SiCやGaNなど次世代パワーデバイスには高T_jで動作することが求められているが、市販デバイスの保証温度は未だSiデバイス並み（T_j～175℃）である。筆者らは、最近、冷熱サイクル試験(TCT)を進めながら、TO-247パッケージSiC-MOSFETが劣化していく過程をSATやX-CT、電気計測等の非破壊評価手段を用いて観察した[1]。本発表では、前記TCTで劣化したサンプルを破壊評価法で解析した結果を報告する。非破壊評価との対応関係や、非破壊評価だけでは調査しきれない劣化の実相が解明される。