[14p-P9-1~18] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[14p-P9-5] 界面顕微光応答によるNi/n-SiCの界面反応の2次元評価

〇橋爪 孝典¹、畑 裕介¹、加藤 正史²、塩島 謙次¹ (1.福井大院工、2.名工大院工)

キーワード：界面顕微光応答法、SiCショットキー接触、熱劣化

我々は界面の不均一性を評価できる界面顕微光応答法を開発し、Ni/n-SiCの界面反応の2次元評価を行った。600℃のアニールにより、電極周辺部で金属光沢が失われ、光電流が増加した。800℃アニール後は電極全体で金属光沢が失われ、600℃の反応領域と同等な光電流が検出された。電極全体のマクロな界面反応の評価に界面顕微光応答法は適していることを示した。