[14p-P9-1~18] 15.6 Group IV Compound Semiconductors (SiC)

[14p-P9-8] Formation of femtosecond-laser-induced periodic structures onto SiC substrates

〇Reina Miyagawa¹, Osamu Eryu¹ (1.Nagoya Inst. Tech.)

Keywords:femtosecond laser

フェムト秒レーザー照射によるSiC基板の表面機能化を目的とし，特性の異なるSiC基板への周期構造形成により，その構造形成メカニズムの解明を試みた．SiC基板表面にはレーザー波長に相当する約1mmの周期と，波長の1/5程度に相当する約200nmの周期が形成された．さらに，n型SiC基板とp型SiC基板では，周期構造形成の光強度閾値が異なることも明らかになった．