[14p-P9-1~18] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[14p-P9-8] SiC基板へのフェムト秒レーザー誘起周期構造の形成

〇宮川 鈴衣奈¹、江龍 修¹ (1.名工大)

キーワード：フェムト秒レーザー

フェムト秒レーザー照射によるSiC基板の表面機能化を目的とし，特性の異なるSiC基板への周期構造形成により，その構造形成メカニズムの解明を試みた．SiC基板表面にはレーザー波長に相当する約1mmの周期と，波長の1/5程度に相当する約200nmの周期が形成された．さらに，n型SiC基板とp型SiC基板では，周期構造形成の光強度閾値が異なることも明らかになった．