[15a-A21-1~11] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [15a-A21-2] Naフラックス法におけるサファイア溶解による低反りGaNウエハの作製

〇(M2)山田 拓海¹、今西 正幸¹、中村 幸介¹、村上 航介¹、今林 弘毅¹、本城 正智¹、丸山 美帆子¹、今出 完¹、吉村 政志¹、森 勇介¹ (1.阪大院工)

キーワード：窒化ガリウム、Naフラックス法

GaN系デバイスを普及させるためにはクラックフリーかつ反りのない自立GaN基板の作製が重要である。これまで我々はサファイアとGaNの熱膨張係数差に由来する応力を発生させない手法として、応力が発生する前（冷却前）にサファイアを溶解する試みを行ってきた。本手法では、冷却過程において発生するクラックの抑制に成功している。しかし、自立化したGaN結晶は反り（concave状）を有していることが問題となっていた。現在、HVPE法を用いてc面GaNテンプレート（c-GaN/sapphire）上にGaN結晶を成長させた際、結晶の反りは種結晶の有する歪の大きさに依存するということが報告されている。そこで、本研究ではc面GaNテンプレートの有する歪の大きさを決める一因であるテンプレートのサファイア厚に着眼し、サファイア厚と成長後の反りの関係を調査したので報告する。