The 77th JSAP Autumn Meeting, 2016

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Oral presentation

15 Crystal Engineering » 15.4 III-V-group nitride crystals

[15a-A21-1~11] 15.4 III-V-group nitride crystals

Thu. Sep 15, 2016 9:00 AM - 12:00 PM A21 (Main Hall A)

Toru Akiyama(Mie Univ.), Yoshihiro Kangawa(Kyushu Univ.)

10:00 AM - 10:15 AM

[15a-A21-5] Synthesis of Gallium Nitride particle from Gallium metal under atmospheric pressure Nitrogen

Shinya Akiyama1, Makoto Watanabe1, Yoshimi Takahashi1, Hiroshi Arima2, Kazumasa Sugiyama2 (1.Dexerials Corp., 2.Tohoku Univ. IMR)

Keywords:Gallium Nitride, Liquid Phase

従来提案されてきた液相での窒化ガリウム結晶成長では高圧・高温下での結晶製造を行なう設備が必用であるために、単結晶基板の低コスト化を困難にする要因となっていた。今回の講演では窒化ガリウム単結晶を1気圧の窒素雰囲気下で成長させる方法を検討するために、金属ガリウムに窒化三鉄(Fe3N)および窒化四鉄(Fe4N)を加えた出発原料から窒化ガリウム微粒子を生成する実験を行なった。