[15a-A21-1~11] 15.4 III-V-group nitride crystals

[15a-A21-6] Liquid Phase Epitaxial growth of Gallium Nitride single crystal under atmospheric pressure Nitrogen

〇Shinya Akiyama¹, Makoto Watanabe¹, Yoshimi Takahashi¹, Kazumasa Sugiyama² (1.Dexerials Corp., 2.Tohoku Univ. IMR)

Keywords:Gallium Nitride, Liquid Phase

常圧下液相での窒化ガリウム単結晶の合成が可能となれば、圧力容器等が不要となり低コスト化が期待できる。本報告では、金属ガリウムと窒化鉄を出発原料として、1気圧の窒素雰囲気中で窒化ガリウム（GaN）単結晶の液相エピタキシャル結晶（LPE）成長実験を行った。