[15a-A21-1~11] 15.4 III-V-group nitride crystals

[15a-A21-8] First-Principles Study of GaN(000-1) Surfaces under the OVPE Growth Conditions

〇Takahiro Kawamura^1,2, Akira Kitamoto², Mamoru Imade², Masashi Yoshimura², Yusuke Mori², Yoshitada Morikawa², Yoshihiro Kangawa³, Koichi Kakimoto³ (1.Mie Univ., 2.Osaka Univ., 3.RIAM, Kyushu Univ.)

Keywords:GaN, first-principles calculation, oxide vapor phase epitaxy

Oxide vapor phase epitaxy (OVPE)法によるGaN成長では原料にO原子種を含むためO不純物量の制御が課題となっている．不純物の取り込みや結晶成長過程の詳細な検討には成長条件下における結晶表面構造に関する知見が必要である．本研究では第一原理計算を用いてOVPE成長条件下でのGaN(000-1)表面構造について解析を行った．