2016年 第77回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

合同セッションK「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」 » 合同セッションK 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[15a-A22-1~11] 21.1 合同セッションK 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

2016年9月15日(木) 09:00 〜 12:00 A22 (メインホールB)

阿部 友紀(鳥取大)

09:15 〜 09:30

[15a-A22-2] 多結晶 Ga 添加 ZnO 透明導電膜の表面吸着子に与える酸素負イオン照射の効果

野本 淳一1、牧野 久雄1,2、北見 尚久1,3、酒見 俊之3、小畠 雅明4、岡根 哲夫5、藤森 伸一5、山上 浩志5,6、小林 啓介1,5、山本 哲也1 (1.高知工科大総研、2.高知工科大システム工、3.住友重機械工業株式会社、4.原子力機構 廃炉国際共同研究センター 核種挙動解析Gr.、5.原子力機構 物質科学研究センター 電子構造物性研究 Gr.、6.京都産業大学)

キーワード:透明酸化物、ZnO

本研究では、反応性プラズマ蒸着法 (RPD) により成膜された多結晶 Ga 添加 ZnO (GZO) 膜における表面付近での点欠陥や吸着子の制御を目的とする。その解決策として、アフターアークプラズマ環境下で生成する酸素負イオン (O-) を用いるイオン照射装置を開発した。本発表では、その効果をX線光電子分光 (XPS) 法を用いて考察したその検討結果を報告する。