[15a-A23-1~10] 15.8 結晶評価，不純物・結晶欠陥

[15a-A23-1] Si単結晶成長における転位密度・残留歪の結晶成長方位依存性

〇中野 智¹、高 冰¹、柿本 浩一¹ (1.九大応力研)

キーワード：転位、シミュレーション

転位はSi結晶の品質を低下させる大きな要因である。また、残留応力は結晶育成時、あるいは切断時の破砕の要因である。本研究では、Si結晶成長において、異なる結晶方位([001]、[111])を用いた場合における転位密度、残留歪の3次元数値解析を行った。その結果、[001]を用いた場合の方が転位密度は高くなるが、残留歪は低くなることがわかった。これは、結晶成長方位とすべり系の関係が原因だと考えられる。