[15a-A23-1~10] 15.8 Crystal evaluation, impurities and crystal defects

[15a-A23-10] Interaction between two vacancies in Si, and estimation of the capture radius

〇Eiji Kamiyama^1,2, Koji Sueoka¹ (1.Okayama Pref. Univ., 2.GlobalWafers Japan Co., Ltd.)

Keywords:capture radius, Continuum Theory, Vacancy

シリコン結晶育成中やウェーハ加工中の複数点欠陥類間の反応は通常，欠陥類がシリコンの結晶格子を無視した連続体と見做される媒質中を拡散すると考える連続体モデルを用いて解析される．このモデルの重要パラメータの１つに，捕獲半径がある．本研究では，シリコン中の２つの空孔を例として，第一原理計算を用いた空孔間相互作用の解析結果を基に捕獲半径を算出することを試みた結果を報告する．