[15a-A23-1~10] 15.8 結晶評価，不純物・結晶欠陥

[15a-A23-10] シリコン結晶中の空孔間の相互作用とその捕獲半径の算出

〇神山 栄治^1,2、末岡 浩治¹ (1.岡山県立大　情報工、2.グローバルウェーハズ・ジャパン㈱)

キーワード：捕獲半径、連続体モデル、空孔

シリコン結晶育成中やウェーハ加工中の複数点欠陥類間の反応は通常，欠陥類がシリコンの結晶格子を無視した連続体と見做される媒質中を拡散すると考える連続体モデルを用いて解析される．このモデルの重要パラメータの１つに，捕獲半径がある．本研究では，シリコン中の２つの空孔を例として，第一原理計算を用いた空孔間相互作用の解析結果を基に捕獲半径を算出することを試みた結果を報告する．