[15a-A24-1~10] 16.3 Bulk, thin-film and other silicon-based solar cells

[15a-A24-8] Effect of Growth Conditions on Process Induced Oxygen Precipitation in N-type Cz Silicon Photovoltaic Cells

〇Takuto Kojima¹, Kosuke Kinoshita¹, Ryota Suzuki¹, Kyotaro Nakamura¹, Atsushi Ogura¹, Yoshio Ohshita², Eiichi Nishijima³, Isao Masada³, Nobuhito Iida³, Shoji Tachibana³ (1.Meiji Univ., 2.Toyota Tech. Inst., 3.Tokuyama Corporation)

Keywords:Lifetime, Oxygen precipitate, n-type Cz silicon

２種の条件で，炭素濃度の異なる原料を用いてn型Czシリコンからn-PERT太陽電池を作製し，熱プロセスの影響を調べた．開放電圧は炭素が低濃度なほど成長条件によって差があり，高炭素濃度（>5× 10¹⁷ cm^-3）では成長条件の影響は見られなかった．各プロセス後ごとのライフタイム測定から，ボロン拡散工程によって劣化したライフタイムが，開放電圧が高くでる成長条件の基板ではリン拡散工程で回復する傾向が見られた．