[15a-A31-1~13] 6.3 Oxide electronics

[15a-A31-4] Electrical property of (111)(Ba,La)SnO₃ epitaxial films

〇Kohei Miura¹, Daisuke Kiriya¹, Takeshi Yoshimura¹, Atsushi Ashida¹, Norifumi Fujimura¹ (1.Osaka Pref. Univ.)

Keywords:Transmittance oxide semiconductor, High mobility, BaSnO3

BaSnO₃(BSO)は透明酸化物半導体や導電膜としての応用が期待されている。また、ペロブスカイト構造はその結晶方位によって物理的性質が大きく変わるため、その成長制御が重要である。しかし、(001)BSO薄膜については電気伝導特性ついての報告はあるが、(111)BSO薄膜に関してはエピタキシャル成長やその伝導のメカニズムについての議論はされていない。本研究では、(111) BSOにおける伝導メカニズム、移動度向上を妨げる散乱機構について議論する。