[15a-A31-1~13] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[15a-A31-6] 電気化学堆積による透明p型半導体薄膜NiO_xの作製

〇トン バインガルディ¹、市村 正也¹ (1.名工大)

キーワード：半導体薄膜、電気化学堆積、透明な薄膜

金属酸化物など透明な伝導性材料はn型の伝導性をとる物質がほとんどであるが、不定比NiO_xは約3.6 eVのワイドバンドギャップをもつ貴重なp型半導体材料である。pnヘテロ接合のp型層材料として、紫外線太陽電池や紫外線センサーやLEDなどの透明光電子デバイス応用に魅力的であると考えられる。
本研究では、電気化学堆積法によって、低温でNi-O-OHを堆積し、熱分解によりNiO_xの作製を試みた。得られた薄膜に光学的電気的物性評価を行った。