[15a-B1-1~13] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[15a-B1-3] 1kV耐圧Ga₂O₃フィールドプレート付きショットキーバリアダイオード

〇小西 敬太¹、後藤 健^2,3、富樫 理恵³、村上 尚³、熊谷 義直³、Bo Monemar^3,4、倉又 朗人²、山腰 茂伸²、東脇 正高¹ (1.情通機構、2.タムラ製作所、3.東京農工大院工、4.リンチョピン大)

キーワード：酸化ガリウム、ショットキーバリアダイオード、フィールドプレート

酸化ガリウム (Ga₂O₃) は、バンドギャップが約4.5 eVの単結晶酸化物半導体であり、次世代パワーデバイス新材料として有望である。今回、ハライド気相成長法 (HVPE) により単結晶n⁺-Ga₂O₃ (001) 基板上にSiドープn^--Ga₂O₃ドリフト層を成膜したエピ基板を用いて、フィールドプレート付きショットキーバリアダイオードを試作し、そのデバイス特性を評価したので報告する。