[15a-B2-1~8] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

[15a-B2-4] 枚葉スピン方式を用いたフッ硝酸Siエッチングプロセス挙動解析

〇大井上 昂志¹、齋藤 卓²、奥山 敦²、萩本 賢哉²、岩元 勇人² (1.ソニーセミコンダクタマニュファクチャリング、2.ソニーセミコンダクタソリューションズ)

キーワード：枚葉、フッ硝酸、Siエッチ

Si基板バックグラインド後のストレス層およびダメージ層除去には、フッ硝酸によるSiエッチングプロセスが一般的に用いられる。これまでに、静置浸漬方式においては薬液組成がエッチレートに大きく影響することが報告されているが、枚葉スピン方式でのエッチング挙動は詳細に報告されていない。そこで今回、枚葉スピン方式のSiエッチングプロセスにおいて、薬液組成とエッチング挙動の関係を詳細に調査し、現象に対するメカニズム考察を行ったので報告する。