[15a-B2-1~8] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

△ [15a-B2-7] Ar/H₂熱処理によるSi(100)表面原子レベル平坦化とデバイス特性に関する検討

〇(D)工藤 聡也¹、大見 俊一郎¹ (1.東工大)

キーワード：表面平坦化プロセス、シリコン、MISFET

前回、我々はSi(100)基板をAr/4%H₂雰囲気中で熱処理することでSi基板表面の原子レベル平坦化を行い、平坦化のメカニズムとMISダイオードの電気特性に関して報告した。今回、Si基板表面原子レベル平坦化によるn-MISFETのデバイス特性への影響に関する検討を行ったので報告する。