[15a-B3-1~9] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

[15a-B3-4] Na内包II型Geクラスレート膜の膜質向上における作製条件の探索

〇(M2)向井 哲也¹、杉井 南斗¹、大橋 史隆¹、久米 徹二¹、シャカール　ジャ ヒマンシュ¹、野々村 修一¹ (1.岐大院工)

キーワード：クラスレート、ゲルマニウム

Na内包II型Geクラスレート(Na_xGe₁₃₆: x = 0 ~ 24)は、籠状構造をしており、籠内にはNa原子が内包され、合成後の処理によりNa量を減少させることが可能であり、内包Naの減少に伴い金属から半導体へと電子物性が変化する。これまで我々は透明基板上へ成膜したNa_XGe₁₃₆の電子物性評価について報告した。しかしその際、膜のクラック及びa-Ge相の存在が問題となっていた。本研究では、作製条件最適化によるクラック及びアモルファス相の低減を試みた。