2016年 第77回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.6 IV族系化合物(SiC)

[15a-C302-1~12] 15.6 IV族系化合物(SiC)

2016年9月15日(木) 09:00 〜 12:15 C302 (日航30階鳳凰)

加藤 智久(産総研)

10:45 〜 11:00

[15a-C302-7] ソフトプラズマにより室温で形成される非晶質炭化珪素薄膜の成膜速度と三フッ化塩素耐腐食性

MAI HONG MINH1、田中 茉莉亜1、塩田 耕平1、羽深 等1 (1.横国大院工)

キーワード:炭化珪素膜、微弱プラズマ、モノメチルシラン

炭化珪素(SiC)は、化学的・機械的に安定であることから、耐久性向上のための被膜材として用いられている。低融点物質を含む材料にもSiC保護膜を作製するために、非晶質SiC膜の室温形成法が開発[1]された。この成膜法の可能性を検討するため、本報では①成膜パラメータとSiC膜の厚さ、組成の関係、②三フッ化塩素(ClF3)ガスに対する腐食耐性について報告する。