[15a-P11-1~13] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[15a-P11-11] レーザ照射によるGaInNAs混晶半導体の発光効率への影響

〇(M1)米倉 成一¹、高宮 健吾¹、八木 修平¹、上田 修²、矢口 裕之¹ (1.埼玉大院理工、2.金沢工大院)

キーワード：フォトルミネッセンス、GaInNAs、レーザ照射