[15a-P11-1~13] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[15a-P11-12] ALE成長SiドープGaAsN薄膜のアニール処理が比抵抗に与える影響

〇横山 祐貴¹、堀切 将¹、原口 智宏¹、山内 俊浩¹、鈴木 秀俊¹、碇 哲雄¹、福山 敦彦¹ (1.宮崎大工)

キーワード：GaAsN、原子層エピタキシー、アニール処理

成長表面を単一の原子層で制御できる原子層エピタキシー(ALE)に着目し、これまでに自動停止機構条件下でのGaAsN薄膜作製、Siドーピングを試みている。作製したGaAsN膜は膜中のSi原子がドナーとして機能し、結晶欠陥を増加させないことを報告した。しかし、ALE法で作製したGaAsN膜の電気特性はまだ低く、向上が必要である。本研究では、ALE成長SiドープGaAsN膜へのアニール処理が結晶性に与える影響を比抵抗の変化から評価した結果を報告する。