[15a-P11-1~13] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[15a-P11-13] MBEによる GaAs/Ge/GaAs(113)Bヘテロ構造における副格子交換

〇盧 翔孟¹、太田 寛人¹、熊谷 直人¹、北田 貴弘¹、井須 俊郎¹ (1.徳島大理工)

キーワード：分子線エピタキシー、副格子交換、高指数面GaAs

我々は、化合物半導体多層膜で構成する結合共振器を利用した新しい面型テラヘルツ波発生素子を提案ている。高強度のテラヘルツ波を得るには、２つの共振器層で非線形感受率の符号が異なる結合共振器構造にする必要がある。本研究では、GaAs系ヘテロ薄膜のエピタキシャル成長の途中で結晶構造を空間反転させる技術を高指数面GaAs基板上で実現する。IV族元素であるGeを中間層として挿入し、その上下で副格子の配列を交換する手法を用いる。分子線エピタキシー(MBE)装置を用いて、(113)B GaAs基板上にGaAs/Ge/GaAsを成長した。異方性エッチャントを使ってメサ形状に加工した。メサ断面を走査型電子顕微鏡(SEM)で観察することで、副格子の配列交換が実現できているかを確認した。