[15a-P11-1~13] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[15a-P11-2] ウルツ鉱型GaAsへの窒素添加の効果に関する研究

仲本 健太¹、〇森藤 正人¹、近藤 正彦¹ (1.阪大院工)

キーワード：ウルツ鉱型GaAs、バンド構造

窒素添加したウルツ鉱型GaAsの電子帯構造を第一原理計算および経験的擬ポテンシャル法を用いて計算した．ウルツ鉱型構造の伝導帯端は，光学活性な状態と不活性な状態の近接した2つの状態から成り，両者は容易に入れ替わるため，応力等により光学的性質が大きく変化する可能性が指摘されている．窒素添加により，光学活性な状態のエネルギーが大きく低下するため，平衡格子定数付近で安定した発光を示すことがわかった．