[15p-A22-1~17] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

[15p-A22-10] Characterization of reliability in amorphous IGZO and the IGZO thin film transistors

〇Satoru Tanaka¹, Shimizu kousaku¹ (1.Nihon University)

Keywords:ITZO, CPM, thin film transistors

高い移動度を持つ非晶質InGaZnO₄(a-IGZO)、InGaZnO₄(a-ITZO)は、液晶駆動用トランジスタとして既に実用化されている。しかし現在、a-IGZO TFT、a-ITZO TFTに対する負バイアスストレス下光照射(NBIS)による閾電圧シフトが知られている。
今回はa-IGZO、a-ITZO TFTに劣化条件を与えて、劣化前後のCPM測定結果を比較した。