[15p-A22-1~17] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[15p-A22-10] 非晶質ITZOとIGZO薄膜トランジスタの信頼性評価

〇田中 聡¹、清水 耕作¹ (1.日本大学)

キーワード：ITZO、CPM、薄膜トランジスタ

高い移動度を持つ非晶質InGaZnO₄(a-IGZO)、InGaZnO₄(a-ITZO)は、液晶駆動用トランジスタとして既に実用化されている。しかし現在、a-IGZO TFT、a-ITZO TFTに対する負バイアスストレス下光照射(NBIS)による閾電圧シフトが知られている。
今回はa-IGZO、a-ITZO TFTに劣化条件を与えて、劣化前後のCPM測定結果を比較した。