[15p-A22-1~17] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

△ [15p-A22-11] Electronic States Analysis of Weakly-Bonded Oxygen in Amorphous IGZO

〇Yosuke Kishida¹, Keisuke Ide¹, Shigenori Ueda³, Hidenori Hiramatsu^1,2, Naoki Ohashi^2,3, Hideo Hosono^1,2, Toshio Kamiya^1,2 (1.MSL Tokyo Tech, 2.MCES Tokyo Tech, 3.NIMS)

Keywords:Oxide semiconductor, IGZO, Weakly-bonded Oxygen

アモルファス酸化物半導体には価電子帯直上に高密度な欠陥が存在し、薄膜トランジスタの光不安定の一因であると考えられている。本研究ではその欠陥の起源のひとつである弱結合酸素に着目し、二段階熱処理と硬X線光電子分光を用いて系統的に調査した。その結果、弱結合酸素が価電子帯直上欠陥を不活性化させるものの、低温で脱離し欠陥を再生した。このことはまた、原子オーダーの空孔がこの欠陥の一因であることを示した。