[15p-A22-1~17] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

△ [15p-A22-11] アモルファスIGZOにおける弱結合酸素の電子状態解析

〇岸田 陽介¹、井手 啓介¹、上田 茂典³、平松 秀典^1,2、大橋 直樹^2,3、細野 秀雄^1,2、神谷 利夫^1,2 (1.東工大 フロンティア研、2.東工大 元素セ、3.物質・材料研究機構)

キーワード：酸化物半導体、IGZO、弱結合酸素

アモルファス酸化物半導体には価電子帯直上に高密度な欠陥が存在し、薄膜トランジスタの光不安定の一因であると考えられている。本研究ではその欠陥の起源のひとつである弱結合酸素に着目し、二段階熱処理と硬X線光電子分光を用いて系統的に調査した。その結果、弱結合酸素が価電子帯直上欠陥を不活性化させるものの、低温で脱離し欠陥を再生した。このことはまた、原子オーダーの空孔がこの欠陥の一因であることを示した。