The 77th JSAP Autumn Meeting, 2016

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Oral presentation

Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices" » Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

[15p-A22-1~17] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

Thu. Sep 15, 2016 1:30 PM - 6:00 PM A22 (Main Hall B)

Yasuaki Ishikawa(NAIST), Mamoru Furuta(Kochi Univ. of Tech.)

1:45 PM - 2:00 PM

[15p-A22-2] Development and Electronic Structure of Amorphous Oxide Thin film Phosphors with Various Colors

Naoto Watanabe1, Junghwan Kim2, Keisuke Ide1, Hidenori Hiramatsu1,2, Hideo Hosono1,2, Toshio Kamiya1,2 (1.MSL Tokyo tech., 2.MCES Tokyo Tech.)

Keywords:amorphous oxide semiconductor, phosphor, thin film

我々はアモルファス酸化物半導体a-In-Ga-Zn-OにEuを添加することで、室温成膜のみでも良好な赤色発光を示す蛍光体薄膜が得られることを報告してきた。本研究では、希土類を変えて調べることにより、Tb添加で緑色の発光に成功したので報告する。また、HAXPES及び共鳴光電子分光により、その電子構造を観測した。