[15p-A22-1~17] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[15p-A22-3] a-InGaZnO TFT光誘起トップゲート効果のa-InGaZnO膜厚依存性

〇竹知 和重¹、田邉 浩¹ (1.NLTテクノロジー)

キーワード：酸化物半導体、薄膜トランジスタ、光誘起トップゲート効果

ボトムゲート型a-InGaZnO TFTの青色光誘起トップゲート効果は、Vtg=0V時ではa-InGaZnO膜厚に依らず無視できる程度に小さい。一方で、負Vtg印加時ではa-InGaZnO膜厚が厚くなるにつれて顕著になることが分かった。このような光誘起トップゲート効果の膜厚依存性は、a-InGaZnO TFTを可視光センサへ応用する際に重要な知見であり、またデバイス物理の視点でも興味深い。