[15p-A22-1~17] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

△ [15p-A22-5] 水素導入・酸化処理を適用した水系塗布型酸化物TFTの特性

〇宮川 幹司¹、中田 充¹、辻 博史¹、藤崎 好英¹、山本 敏裕¹ (1.NHK技研)

キーワード：酸化物半導体、TFT