[15p-A22-1~17] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

△ [15p-A22-7] 溶液法IGZO薄膜におけるGa比率と焼成温度が伝達特性に与える影響

〇(M1)落合 祐輔¹、森本 貴明¹、福田 伸子³、大木 義路^1,2 (1.早大先進理工、2.早大材研、3.産総研FLEC)

キーワード：IGZO、溶液法、半導体

溶液法を用いて作製したIGZO薄膜を、異なるGa比率と温度にて焼成し、伝達特性の測定を行ったところ、300°C焼成膜ではGa比率増加によりOn電流がほぼ単調減少するのに対し, 800°C焼成膜ではGa比率40%のときに最大となる。この結果を、XPS測定と光吸収測定により比較したところ、バンドギャップエネルギーが大きく、酸素空孔が少ないとき、On電流が最大となることを見出した。