[15p-A22-1~17] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

[15p-A22-8] Development of High Mobility Indium Based Oxide Semiconductor Materials

〇Fumito Ootake¹, Masaki Takei¹, Motoshi Kobayashi¹, Junya Kiyota¹, Kazuya Saito¹ (1.ULVAC, Inc.)

Keywords:Oxide Semiconductor, IGZO, Sputtering

高移動度の酸化物半導体材料の開発を目的として、Inをベースとして様々な元素を加えた酸化物半導体材料の膜特性を評価した。酸化物半導体膜をDCマグネトロンスパッタリング法により50 nm成膜し、その後400℃、15 minの大気アニールを実施した。本酸化物半導体膜のホール効果測定を行った。その結果、添加材料を加えることでキャリア密度及びホール移動度を制御できることが分かった。