[15p-A22-1~17] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[15p-A22-8] 高移動度In系酸化物半導体材料の開発

〇大竹 文人¹、武井 応樹¹、小林 大士¹、清田 淳也¹、齋藤 一也¹ (1.株式会社アルバック)

キーワード：酸化物半導体、IGZO、スパッタリング

高移動度の酸化物半導体材料の開発を目的として、Inをベースとして様々な元素を加えた酸化物半導体材料の膜特性を評価した。酸化物半導体膜をDCマグネトロンスパッタリング法により50 nm成膜し、その後400℃、15 minの大気アニールを実施した。本酸化物半導体膜のホール効果測定を行った。その結果、添加材料を加えることでキャリア密度及びホール移動度を制御できることが分かった。