[15p-A23-1~20] 15.8 Crystal evaluation, impurities and crystal defects

△ [15p-A23-16] Analysis of Oxygen Precipitation Process in CZ-Si by Luminescence Activation Using Electron Irradiation

〇fumito higuchi¹, michio tajima¹, hirotatsu kiuchi¹, atsushi ogura¹ (1.Meiji Univ.)

Keywords:Silicon, Photoluminescence, Thermal Donor

CZ-Si結晶の欠陥制御に向け酸素析出過程を正確に理解するために，酸素・炭素の挙動を把握することが第一に必要である．本稿では，近年注目を集めている発光活性化PL法を用いて，析出の最も初期段階で，照射等の攪乱の影響を受けやすいと考えられるサーマルドナー(TD)の発生過程に対して，TD 関連欠陥に起因する深い準位のPLの変化，並びにC-, G-lineの発生の検証と熱処理前後の変化量の考察を行った．