2016年 第77回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.8 結晶評価,不純物・結晶欠陥

[15p-A23-1~20] 15.8 結晶評価,不純物・結晶欠陥

2016年9月15日(木) 13:15 〜 18:45 A23 (201B)

前田 貴弘(グローバルウェーハズ・ジャパン)、小島 拓人(明治大)、大野 裕(東北大)

17:30 〜 17:45

[15p-A23-16] 電子線照射発光活性化PL法によるCZ-Si結晶中の酸素析出過程の解析

樋口 史仁1、田島 道夫1、木内 広達1、小椋 厚志1 (1.明治大理工)

キーワード:シリコン、フォトルミネッセンス、サーマルドナー

CZ-Si結晶の欠陥制御に向け酸素析出過程を正確に理解するために,酸素・炭素の挙動を把握することが第一に必要である.本稿では,近年注目を集めている発光活性化PL法を用いて,析出の最も初期段階で,照射等の攪乱の影響を受けやすいと考えられるサーマルドナー(TD)の発生過程に対して,TD 関連欠陥に起因する深い準位のPLの変化,並びにC-, G-lineの発生の検証と熱処理前後の変化量の考察を行った.