[15p-A25-1~17] 17.1 Carbon nanotubes & other nanocarbon materials

△ [15p-A25-3] Voltage-driven unidirectional etching of horizontally aligned single-walled carbon nanotube gaps

〇Keigo Otsuka¹, Taiki Inoue¹, Shohei Chiashi¹, Shigeo Maruyama^1,2 (1.Univ. of Tokyo, 2.AIST)

Keywords:single-walled carbon nanotube, field-effect transistor, electrical breakdown

単層カーボンナノチューブ（SWNT）の電気的ブレイクダウンは，電界効果トランジスタの短絡パス切断やナノギャップ電極作製に用いられてきたが，ギャップ形成機構などは十分に理解されていない．本研究では，電気的ブレイクダウンによって形成されたSWNTのナノギャップが電圧印加によってさらに拡大することを観察した．ギャップ形成機構を考察するとともに，この現象がSWNTの幅広い応用において重要な役割を果たすことを説明する．