[15p-A33-1~19] 17.2 グラフェン

[15p-A33-5] 三層グラフェン電界効果トランジスタの輸送特性におけるアニール効果

〇岩崎 拓哉^1,2、Muruganathan Manoharan¹、Schmidt Marek¹、水田 博^1,2 (1.北陸先端大、2.サザンプトン大)

キーワード：グラフェン電界効果トランジスタ、アニール処理、輸送特性

三層グラフェン電界効果トランジスタ(GFET)の輸送特性に対するアニール処理の効果を報告し、アニール処理後で変化するグラフェンへのドーピング効果のメカニズムを提案する。アニール処理は真空、水素/アルゴンガス下で行った。アニール後にキャリア輸送特性の非対称性の変化を観測したことから、アニールがグラフェンチャネル部分のみではなく、金属電極下のグラフェンにも影響を与えている可能性があることを議論する。